三星电子宣布业内首款基于第五代 V-NAND 的 512GB eUFS 3.0 嵌入式通用闪存解决方案已经开始

2 月 28 日消息，日前，三星电子(Samsung Electronics)宣布，业内首款基于第五代 V-NAND 的 512GB eUFS 3.0 嵌入式通用闪存解决方案，已经开始进入批量生产阶段。

根据三星公布的信息了解，eUFS 3.0 闪存的读取速度是 eUFS 2.1 的两倍，写入速度则是 eUFS 2.1 的 1.5 倍以上。更具体来说，eUFS 3.0 闪存的连续读取速度达到了 2100 MB/s，写入速度也提升到了 410MB/s。随记读写性能比目前 eUFS 2.1 提高了 36%，分别高达 63000 IOPS 和 68000 IOPS，比一般 microSD 卡(100 IOPS)快 630 倍。

三星表示，新的 eUFS 3.0 解决方案比 SATA 固态硬盘(SSD)速度还要“快 4 倍”，比普通的 microSD 卡“快 20 倍”，在高端智能手机上“大约 3 秒内就能将一部 1080p FULL HD 全高清电影传输到 PC”。

三星明确，eUFS 3.0 闪存技术将会应用于下一代智能手机当中，包括即将上市的三星 Galaxy Fold 可折叠智能手机。

说实话，eUFS 3.0 闪存技术如此快速进入量产阶段令人欣喜，毕竟一个月前三星才发布了 1TB 容量的 eUFS 2.1 闪存解决方案，其读取速度是 512GB eUFS 3.0 的一半。在过去三年时间里，三星的闪存储存技术从未迎来如此飞跃式的提升。从上图可以看到， 2016 年的 256GB eUFS 2.0 读取速度就已经达到了 850MB/s，但直到去年仍沿用 512GB 版。

毫无疑问，搭载 512GB eUFS 3.0 的旗舰设备将在某些移动性能方面迎来显著的提升，包括文件传输、应用程序安装、访问设备文件等等。不过，移动设备储存技术迎来的好消息不止一个，例如前几天刚刚发布的 MicroSD express 卡规范，理论上文件传输速率最高可达 985MB/s，因此三星 eUFS 3.0 无疑是 MicroSD express 卡外部储存卡的最佳配搭。

三星最后确认，512GB eUFS 3.0和 128GB eUFS 3.0 闪存芯片将在本月底开始出货，而 1TB 和 256GB 闪存计划到今年下半年才正式量产。